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dc.creatorRossi Fernández, Ana Cecilia
dc.creatorSchvval, Ana Belén
dc.creatorJiménez, María Julia
dc.creatorCabeza, Gabriela Fernanda
dc.creatorMorgade, Cecilia Inés Nora
dc.date.accessioned2022-07-14T18:42:46Z
dc.date.available2022-07-14T18:42:46Z
dc.date.issued2020-05
dc.identifier.citationRossi Fernandez, A. C.; Schvval, A. B.; Jimenez, M. J.; Cabeza, G. F.; Morgade, C. I. N. (mayo, 2020). Estudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnO. [Presentación de resúmen] 20° Encuentro de Superficies y Materiales Nanoestructurados, Argentina. http://intema.gob.ar/nano2020/es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.12272/6776
dc.description.abstractLas nanoestructuras de semiconductores como el TiO2 y el ZnO han demostrado ser capaces de mediar la oxidación fotocatalítica de contaminantes orgánicos para su eliminación del agua. Por eso es interesante la descripción correcta de sus propiedades electrónicas. En el caso de estos óxidos de metales de transición se conoce que la Teoría del Funcional Densidad (DFT)1 suele subestimar el ancho de su banda prohibida (BG). Un enfoque viable para resolver los errores de auto-interacción para materiales de electrones fuertemente correlacionados es el uso de métodos conocidos como DFT + U2. Este método impone un adicional (U) de funcional tipo Coulomb para la representación correcta de los orbitales d de metales de transición como el Ti y el Zn. La determinación de este factor de corrección para un elemento dado requiere varias pruebas y la comparación de la estructura calculada con datos experimentales. Es interesante destacar que el factor U utilizado en los cálculos afecta a los parámetros de red y esta variación se produce en sentido opuesto para dichos óxidos. En TiO2 a medida que el factor U se incrementa aumentan tanto el BG como el parámetro de red. Por el contrario, para el ZnO, al crecer U aumenta el valor del BG pero disminuye el valor del parámetro de celda.es_ES
dc.formatpdfes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.rightsopenAccesses_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.rights.uriAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional*
dc.subjectHubbardes_ES
dc.subjectDFTes_ES
dc.subjectTiO2es_ES
dc.subjectZnOes_ES
dc.titleEstudio teórico comparativo del efecto del coeficiente U de Hubbard en los semiconductores TiO2 Y ZnOes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectes_ES
dc.description.affiliationFil: Rossi Fernández, Ana Cecilia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Química del Sur; Argentina.es_ES
dc.description.affiliationFil: Schvval, Ana Belén. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.es_ES
dc.description.affiliationFil: Jiménez, María Julia. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.es_ES
dc.description.affiliationFil: Cabeza, Gabriela Fernanda. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.es_ES
dc.description.affiliationFil: Morgade, Cecilia Inés Nora. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Bahía Blanca; Argentina. Universidad Nacional del Sur. Instituto de Física del Sur; Argentina.es_ES
dc.type.versionpublisherVersiones_ES
dc.relation.referencesHohenberg H., Kohn W., Phys. Rev. B, Vol. 136 , 864-871, 1964.es_ES
dc.relation.referencesAnisimovy V., Aryasetiawanz F., Lichtensteinx A. I., J. Phys. Condens. Matter, Vol. 9, 767-808,1997.es_ES
dc.rights.useNo comercial con fines académicos y educativos.es_ES


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