Browsing by Author "Kuo, Yao Ming"

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    Desarrollo de un circuito integrado transmisor RFID pasivo
    (2017-04-01) Grosso, Agustín; Galimberti, Flavio; Kuo, Yao Ming; Aguirre, Fernando; Pazos, Sebastián; Rodríguez Mallo, Jorge; Verrastro, Sebastián
    En la presente publicación se describe el diseño de un circuito integrado (CI) compuesto por los módulos de rectificación, regulación de tensión y modulación de carga de un transceptor RFID (13,56 MHz), además del diseño del circuito resonante. Por otra parte, en el presente proyecto la manufactura fue realizada por medio de MOSIS® (THE MOSIS SERVICE, 2016) en un proceso de fabricación STANDAR CMOS de 500 nm, usando tecno- logía escalable cuyo ancho mínimo de canal es de 600 nm.
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    Desarrollo del front-end de un transceptor RFID pasivo bajo proceso CMOS de 500 nm
    (2017-10-01) Grosso, Agustín; Galimberti, Flavio; Tantera, Juan Antonio; Kuo, Yao Ming; Rodriguez Mallo, Jorge
    En la presente publicación se describe el diseño del demodulador, generador de clock, di- visor de clock, el rediseño de los módulos de rectificación y regulación, y las pruebas en laboratorio de éstos y del modulador de carga, que forman parte de un circuito integrado (CI) transceptor RFID (13,56 MHz). La manufactura en el proyecto fue realizada a través de MOSIS® (THE MOSIS SERVICE, 2016) en un proceso de fabricación ESTÁNDAR CMOS de 500 nm, usando tecnología cuyo largo mínimo de canal es de 600 nm.
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    Diseño de un circuito integrado digital para un portador de información RFID pasivo
    (2018-10-01) González del Cerro, Ramiro Tomás; Badenas, Francisco; Kuo, Yao Ming; Verrastro, Sebastián; Rodríguez Mallo, Jorge
    Este trabajo presenta el desarrollo de un circuito integrado digital que permite la comunicación entre un lector y un tag RFID. El chip cubre las funciones de decodificación, procesamiento y codificación, y satisface con el protocolo de anticolisión. Está basado en norma ISO/IEC 14443-3 tipo A y se lo ha implementado utilizando la tecnología de fabricación Global Foundries 8RF de 130 nm. Su diseño final alcanza un consumo de 31 μW y ocupa un área de celdas de 43597 μm2.